一种恒温晶振壳体、恒温晶体振荡器及其加工工艺制造技术
本发明专利技术涉及晶体振荡器技术领域，尤其是涉及一种恒温晶振壳体、恒温晶体振荡器及其加工工艺，该恒温晶振壳体内开设有第一腔体，在恒温晶振壳体的侧壁上开设有通气口，通气口的一端与外部环境连通，另一端通过气流通道与第一腔体连通；气流通道内设有封堵件，封堵件与气流通道相对滑动，以导通或阻断气流通道与外部环境之间的连接通路。这样，在常温常压工况下进行恒温晶振壳体封装，之后进行抽真空处理，相较于在真空箱内进行恒温晶振壳体封装的情况，对设备的抗压及密封要求低，可以减少工艺难度及成本，易于实现批量的恒温晶振的加工。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体振荡器，尤其是涉及一种恒温晶振壳体、恒温晶体振荡器及其加工工艺。
技术介绍
1、恒温晶体振荡器由于需要保持晶振器件发热恒温条件，需要进行隔热处理，在当前的生产过程中对恒温晶振内部真空化是将整个产品在真空环境下进行真空封焊。在此过程中，大型的封焊设备及夹具均需要放置到真空环境中，对设备的抗压及密封要求高，导致设备成本投入高、操作困难，在有限的真空环境内难以进行批量的恒温晶振的加工。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种恒温晶振壳体、恒温晶体振荡器及其加工工艺。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种恒温晶振壳体，在恒温晶振壳体内开设有第一腔体，在恒温晶振壳体的侧壁上开设有通气口，通气口的一端与外部环境连通，另一端通过气流通道与第一腔体连通；气流通道内设有封堵件，封堵件与气流通道相对滑动，以导通或阻断气流通道与外部环境之间的连接通路。
3、结合第一方面，所述气流通道靠近所述第一腔体的一侧的第一截面尺寸小于所述气流通道靠近所述通气口的一侧的第二截面尺寸。
4、结合第一方面，气流通道包括：第一子通道和第二子通道，第一子通道的一端与第二子通道连通，第一子通道的另一端与第一腔体连通；第二子通道远离第一子通道的一侧与气口连通；第一子通道的截面尺寸小于第二子通道的截面尺寸；
5、封堵件具有封堵部，封堵部与第一子通道的形状尺寸适配。
6、结合第一方面，第二子通道的截面尺寸由外向内渐缩。
7
8、恒温晶振壳体内壁固定有限位件，限位件位于限位腔内，限位件的长度大于封堵件的移动行程。
9、结合第一方面，恒温晶振壳体的底部还设置有恒温晶振底座，在恒温晶振的底部连接有插针。
10、结合第一方面，恒温晶振壳体为圆柱体结构。
11、第二方面，本申请提供一种恒温晶体振荡器，包括如上述的恒温晶振壳体。
12、第三方面，本申请提供一种恒温晶体振荡器加工工艺，包括：
13、在室温常压下封装恒温晶体振荡器；
14、对多个已封装的恒温晶体振荡器进行烘烤；
15、将烘烤后的多个恒温晶体振荡器放置于真空箱内；
16、启动真空泵，以对多个恒温晶体振荡器抽真空处理；
17、将真空处理后的多个恒温晶体振荡器从真空箱移出，在大气压作用下封堵恒温晶体振荡器内气流通道。
18、结合第三方面，启动真空泵，以对多个恒温晶体振荡器抽真空处理的步骤，包括：
19、启动真空泵，以导通多个恒温晶体振荡器与真空箱体内环境的连接通路，以将多个恒温晶体振荡器内部气体抽出至真空状态。
20、本专利技术实施例带来了以下有益效果：本申请提供的一种恒温晶振壳体、恒温晶体振荡器及其加工工艺，该恒温晶振壳体内开设有第一腔体，在恒温晶振壳体的侧壁上开设有通气口，通气口的一端与外部环境连通，另一端通过气流通道与第一腔体连通；气流通道内设有封堵件，封堵件与气流通道相对滑动，以导通或阻断气流通道与外部环境之间的连接通路。
21、在本实施例中，通过在恒温晶振壳体内开设气流通道，气流通道与第一腔体连通，气流通道通过通气口与外部环境连通，从而将第一腔体与外部环境连通，并且在气流通道内设置封堵件，封堵件与气流通道相对滑动以导通或阻断气流通道与外部环境的连接通路，进而切换第一腔体与外部环境的连通或封闭状态。这样，在常温常压工况下进行恒温晶振壳体封装，之后进行抽真空处理，相较于在真空箱内进行恒温晶振壳体封装的情况，对设备的抗压及密封要求低，可以减少工艺难度及成本，易于实现批量的恒温晶振的加工。
22、本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
23、为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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【技术保护点】
1.一种恒温晶振壳体，其特征在于，所述恒温晶振壳体内开设有第一腔体，在所述恒温晶振壳体的侧壁上开设有通气口，所述通气口的一端与外部环境连通，另一端通过气流通道与所述第一腔体连通；所述气流通道内设有封堵件，所述封堵件与所述气流通道相对滑动，以导通或阻断所述气流通道与外部环境之间的连接通路。
2.根据权利要求1所述的恒温晶振壳体，其特征在于，所述气流通道靠近所述第一腔体的一侧的第一截面尺寸小于所述气流通道靠近所述通气口的一侧的第二截面尺寸。
3.根据权利要求1所述的恒温晶振壳体，其特征在于，所述气流通道包括：第一子通道和第二子通道，所述第一子通道的一端与所述第二子通道连通，所述第一子通道的另一端与所述第一腔体连通；所述第二子通道远离所述第一子通道的一侧与气口连通；所述第一子通道的截面尺寸小于所述第二子通道的截面尺寸；
4.根据权利要求3所述的恒温晶振壳体，其特征在于，所述第二子通道的截面尺寸由外向内渐缩。
5.根据权利要求3所述的恒温晶振壳体，其特征在于，所述封堵件远离所述封堵部的一端开设有限位腔；
6.根据权利要求1所述的
7.根据权利要求1所述的恒温晶振壳体，其特征在于，所述恒温晶振壳体为圆柱体结构。
8.一种恒温晶体振荡器，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的恒温晶振壳体。
9.一种恒温晶体振荡器加工工艺，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的恒温晶体振荡器加工工艺，其特征在于，启动真空泵，以对多个所述恒温晶体振荡器抽真空处理的步骤，包括：
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【技术特征摘要】
1.一种恒温晶振壳体，其特征在于，所述恒温晶振壳体内开设有第一腔体，在所述恒温晶振壳体的侧壁上开设有通气口，所述通气口的一端与外部环境连通，另一端通过气流通道与所述第一腔体连通；所述气流通道内设有封堵件，所述封堵件与所述气流通道相对滑动，以导通或阻断所述气流通道与外部环境之间的连接通路。
2.根据权利要求1所述的恒温晶振壳体，其特征在于，所述气流通道靠近所述第一腔体的一侧的第一截面尺寸小于所述气流通道靠近所述通气口的一侧的第二截面尺寸。
3.根据权利要求1所述的恒温晶振壳体，其特征在于，所述气流通道包括：第一子通道和第二子通道，所述第一子通道的一端与所述第二子通道连通，所述第一子通道的另一端与所述第一腔体连通；所述第二子通道远离所述第一子通道的一侧与气口连通；所述第一子通道的截面尺寸小于所述第二子通道的截面尺寸...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐立，
申请(专利权)人：成都恒晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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